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Der LTC4447 kann sowohl das "obere" als auch das "untere" MOSFET-Gate über einen Spannungsbereich von 4V bis 6,5V "rail-to-rail" treiben und erlaubt Betriebsspannungen bis zu 38V. Dieser leistungsfähige Treiber kann Ströme bis zu 5A aufnehmen und Ströme bis zu 3.2A liefern; er ist dadurch eine ideale Lösung zur Ansteuerung von Hochstrom-MOSFETs mit großer Gate-Kapazität. In Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, kann der LTC4447 auch mehrere parallelgeschaltete MOSFETs treiben. Der Chip enthält eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode. Die kurzen Anstiegs-/Abfallzeiten (8ns bzw. 7ns beim "oberen" MOSFETs, 7ns bzw. 4ns beim "unteren" MOSFET) minimieren die Schaltverluste beim Treiben einer 3.000pF-Last und erhöhen den Wirkungsgrad. Ein adaptiver "Shoot-through"-Schutz verhindert ein gleichzeitiges Durchschalten des "oberen" und des "unteren" MOSFETs und minimiert dabei die Totzeit.
Der LTC4447 besitzt einen 3-State-PWM-Eingang zum Abschalten der Leistungsstufe, der mit Ein- und Mehrphasen-Controllern mit 3-State-Ausgang kompatibel ist. Außerdem bietet der Chip einen separaten Betriebsspannungsanschluss für die Eingangslogik, sodass diese dem Signalhub des Controller-ICs angepasst werden kann, und Unterspannungs-Lockout-Schaltungen für die Treiber- und Logik-Betriebsspannungen.
Der LTC4447 besitzt ein flaches (0,75mm), 3mm x 3mm großes DFN-12-Gehäuse und ist für den Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 85°C spezifiziert.
Bildunterschrift: Synchron-MOSFET-Treiber für DC/DC-Wandler
Die wichtigsten Leistungsmerkmale: LTC4447
* Synchron-n-Kanal-MOSFET-Treiber * Hoher Treiberstrom: 3.2A Quelle, 5A Senke * Maximale Betriebsspannung 38V * Gate-Steuerspannung: 4V bis 6,5V
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