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Dieser leistungsfähige Treiber kann bei einem Pull-Down-Widerstand von 1,2 Ohm Ströme bis zu 2,5A zur Ansteuerung des "oberen" MOSFETs und bei einem Pull-Down-Widerstand von 0,55 Ohm Ströme bis zu 3A zur Ansteuerung des "unteren" MOSFETs liefern; er eignet sich dadurch ideal zur Ansteuerung von Hochstrom-MOSFETs mit großer Gate-Kapazität. In Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, kann der LTC4446 auch mehrere parallelgeschaltete MOSFETs treiben. Die kurzen Anstiegs-/Abfallzeiten (8ns bzw. 5ns beim "oberen" MOSFETs, 6ns bzw. 3ns beim "unteren" MOSFET) minimieren die Schaltverluste beim Treiben einer 1.000pF-Last.
Der LTC4446 ist für zwei betriebsspannungsunabhängige Eingänge konfiguriert. Das Logiksignal für den High-Side-Eingang wird intern auf die Bootstrap-Betriebsspannung (bis zu 114V gegen Masse) pegelverschoben. Der Treiber kann sowohl das "obere" als auch das "untere" MOSFET-Gate über einen Bereich von 7,2V bis 13,5V ansteuern.
Die Chips LTC4446EMS8 und LTC4446IMS8 sind in einem thermisch optimierten MSOP-8-Gehäuse untergebracht.
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