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Dieser leistungsfähige Treiber kann Ströme bis zu 5A aufnehmen und Ströme bis zu 2,4A liefern; er ist dadurch eine ideale Lösung zur Ansteuerung von Hochstrom-MOSFETs mit großer Gate-Kapazität. In Anwendungen, die höhere Ströme erfordern, kann der LTC4443/-1 auch mehrere parallelgeschaltete MOSFETs treiben. Die kurzen Anstiegs-/Abfallzeiten von nur 12ns bzw. 8ns bei 3.000 pF Lastkapazität minimieren die Schaltverluste. Ein adaptiver "Shoot-through"-Schutz verhindert ein gleichzeitiges Durchschalten des "oberen" und des "unteren" MOSFETs und minimiert dabei die Totzeit. Die integrierte Bootstrap-Schottky-Diode vereinfacht das Design.
Der LTC4443/-1 besitzt einen 3-State-PWM-Eingang zum Herunterfahren der Leistungsstufe, der mit allen Mehrphasen-Controllern mit 3-State-Ausgang kompatibel ist. Außerdem bietet der Chip einen separaten Betriebsspannungsanschluss für die Eingangslogik, sodass diese dem Signalhub des Controller-ICs angepasst werden kann, und eine Unterspannungs-Lockout-Schaltung für die Treiber- und Logik-Betriebsspannungen. Der Chip treibt sowohl die Gates sowohl des "oberen" als auch des "unteren" MOSFETs über einen Bereich von 6V bis 9,5V und erlaubt Betriebsspannungen bis zu 38V. Die zur Ansteuerung von Standard-5V-Logik-n-Kanal-MOSFETs vorgesehene "-1"-Version hat eine höhere VCC-Unterspannungs-Lockout-Schwelle von 6,2V statt 3,2V.
Die Chips LTC4443EDD und LTC4443EDD-1 besitzen ein 3mm x 3mm großes DFN-12-Gehäuse. Die Typen LTC4443IDD und LTC4443IDD-1 sind für den Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 85°C spezifiziert und werden auch über diesen Temperaturbereich getestet.
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